SK海力士計劃在明年推出HBM3E內(nèi)存帶寬從800GB/s提升到1TB/s – 藍(lán)點網(wǎng)

發(fā)布時間：2025-12-05 20:19:50 作者：玩站小弟

SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 內(nèi)存的增強(qiáng)版：HBM3E，將數(shù)據(jù)傳輸速率提升 25%，為人工智能和高性能計算提供助力。HBM3E 內(nèi)存主要面向的商用領(lǐng)域，SK 海力士將長沙天心外圍（洋馬）外圍vx《1662-044-1662》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)。

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HBM3E 內(nèi)存主要面向的出H存帶商用領(lǐng)域，SK 海力士將其數(shù)據(jù)傳輸速率從 6.4GT/s 提升到 8.0GT/s，點網(wǎng)這可以將帶寬提升從 819.2GB/s 提升到 1TB/s，海力劃明更快的士計升傳輸速率有助于提升高性能計算領(lǐng)域的性能，縮短時間。年推E內(nèi)

當(dāng)下 AI 熱潮讓 GPU 加速卡的出H存帶內(nèi)存不斷提升，AI 模型訓(xùn)練時需要大量內(nèi)存，點網(wǎng)長沙天心外圍（洋馬）外圍vx《1662-044-1662》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)理論上說內(nèi)存容量越大、海力劃明速度越快越好，士計升這讓 SK 海力士有動力快速開發(fā)性能更好的年推E內(nèi)技術(shù)。

SK海力士計劃在明年推出HBM3E內(nèi)存帶寬從800G/s提升到1TB/s

技術(shù)細(xì)節(jié)方面，出H存帶HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 節(jié)點)，點網(wǎng)1b 制程已經(jīng)被 SK 海力士用于生產(chǎn)適用于英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺的 DDR5-6400 內(nèi)存，因此投產(chǎn) HBM3E 內(nèi)存對 SK 海力士來說應(yīng)該不是難事。

SK 海力士稱隨著內(nèi)存市場將在下半年開始復(fù)蘇的預(yù)期越來越高，該公司相信他們領(lǐng)先的 DRAM 技術(shù)將幫助公司提高下半年的盈利。

根據(jù) SK 海力士說明，HBM3E 內(nèi)存將在 2024 年上市，那下半年應(yīng)該就會試產(chǎn)，到年末開始量產(chǎn)并準(zhǔn)備出貨。